반도체 공정과 네덜란드 기업 ASML의 EUV기술(극자외선) 리뷰

사진 출처 : https://m.blog.naver.com/puninuq/221079779411

1. EUV 기술 :
웨이퍼 위에 감광액을 바르고, 포토마스크(레티클)로 빛을 가려 원하는 회로 패턴으로 빛을 쏜다.
그러면 웨이퍼 위에는 빛이 노출된 감광액 부분만 남게 되어 (노광이라고 표현)
원하는 회로 패턴만을 남길 수 있다.
예전에는 DUV(심자외선, 193nm) 혹은 다른 파장대의 빛을 썼는데,
지금은 파장이 짧은 EUV(극자외선, 13.5nm) 광원을 사용해 5nm 이하의 초미세 공정을 가능케한다.

2. 내부 진공 :
EUV는 파장이 너무 짧아 공기중에 흡수가 되기에, 내부를 진공 상태로 만든다.

3. LCWC 캐비닛과 RCWC :
LCWC 캐비닛은 장비 내부 열로 기계 부피가 팽창해 나노 공정에 문제가 있으면 안되기에,
온도를 0.005c 또는 더 미세하게 조절해야할 때 사용한다.
RCWC는 모터의 온도를 제어해야할 때 사용하는데,
모터는 LCWC만큼 정밀할 필요가 없기에 수냉으로 제어한다.
만약 장비 내부 열이 1도가 오른다면(웨이퍼 or 레티클)

4. 레티클 스테이지 :
레티클을 운반하는 레티클 스테이지는 관성을 완벽히 제어해야한다.
회로 패턴이 원치 않은 곳에 새겨지고, 회로 내에 빈 공간이 생길 수 있기 때문이다.
관성 제어 시 최대속도는 3.2m/s이다.

정보 출처 : 유튜버 김주연님의 ASML의 트레이닝 센터 인터뷰 (노광 장비 전문 엔지니어 양성) youtu.be/wH7D8V47etk
, Thelec 장현민 PD의 EUV 장비 www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=3552

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EUV 노광 공정에는 진공을 유지하고, 온도를 0.005c까지 미세 제어하고, 관성의 제어가 필요하다.
한 개의 EUV장비를 만드는데 2년이 걸리기까지 하니
대량 구매 시 1400억~1500억원 정도 하는건 싼 것일지도 모르겠다는 생각이 들었네요.